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供应TLP621GB

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    Toshiba晶体管输出光耦的应用非常广泛,比如TLP620:电源的反馈电路和工业设备的光电接口。东芝可提供各种晶体管输出光耦的产品TLP181GB,包括可支持高达125°C工作温度范围的光耦和支持高达350V集电极—发射极电压(VCEO)的光耦TLP290-4,TLP281-4。可提供间隙和爬电距离为8mm的DIP封装。 欲订购其它具有8mm保证间隙和爬电距离封装的光耦TLP621GR,请在器件型号后添加后缀F, 例如:TLP785F

晶体管输出光耦的列表,您可以查找晶体管输出光耦的完整特性列表。以低输入电流(IF=0.5mA)保证电流传输比(CTR)(TLP182/183/292/293)因采用复合晶体管输出而以高电流驱动(TLP187等)因采用片上VBE而能进行高速开关和保证延迟时间(TLP2301)

晶体管输出光耦TLP521-4的特点

1.以低输入电流(I F =0.5mA)保证电流传输比(CTR)(TLP182/183/292/293)因采用了高功率铟镓砷(MQW)LED,TLP182、TLP183、TLP292和TLP293能在低输入电流(IF=0.5mA)条件下提供高的保证电流传输比(CTR)。因为这些光耦TLP291-4,TLP280-4可同时保证IF=5mA和IF=0.5mA时的CTR值,所以简化了低电流区域的功能设计。





可控硅输出光耦



可控硅输出光耦适合用于控制交流负载。东芝提供具有400V、600V和800V重复关闭状态峰值正向电压(VDRM)的可控硅输出光耦,VDRM=400V的光耦适用于100V交流负载应用,VDRM=600V和800V的光耦适用于200V交流负载应用。您可以选择非零交叉(NZC)可控硅输出光耦用于对可控硅的硬件相位进行控制,或选择零交叉(ZC)可控硅输出光耦用于降低开关噪声。

* 1:可提供间隙和爬电距离为8mm的DIP6和DIP4封装。

欲订购其它具有8mm保证间隙和爬电距离封装的光耦,请在器件型号后添加后缀F,例如:TLP3062F

* 2:5mm用于SO6封装;4mm用于MFSOP6封装

* 3:TLP168J和TLP3064仅提供3mA的IFT。

 
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